快速生产具有纳米分辨率的大面积模式对于已建立的半导体行业和实现下一代量子设备的工业规模生产至关重要。具有二进制全息掩模的亚稳定原子光刻被认为是当前最新水平的较高分辨率/低成本替代方法：极端紫外线（EUV）光刻。然而，最近表明，亚稳定原子与掩模材料（SIN）的相互作用导致波前的强烈扰动，而不是基于经典标量波。这意味着即使在1D中也无法在分析上解决逆问题（基于所需模式创建掩码）。在这里，我们提出了一种机器学习方法，以掩盖产生的目标是亚稳定性原子。我们的算法结合了遗传优化和深度学习来获得面具。一种新型的深神经结构经过训练，可以产生面膜的初始近似。然后，该近似值用于生成可以收敛到任意精度的遗传优化算法的初始种群。我们证明了Fraunhofer近似极限内系统维度的任意1D模式的产生。
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